意法半导体宣布联手三星推出18nmFD-SOI工艺，支持嵌入式PCM

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意法半导体表示，相较于其现在使用的 40nm eNVM 技术，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工艺大幅提升了性能参数:其在能效上提升了 50%，数字密度上提升了 3 倍，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。该工艺能够在 3V 电压下提供多种模拟功能，包括电源管理、复位系统等，是 20nm 以下制程中唯一支持这些功能的技术。同时，新的 18nm FD-SOI 工艺在抗高温、抗辐射等方面也有出色表现，可用于要求苛刻的工业应用。意法半导体首款基于该制程的 STM32 MCU 将于下半年开始向选定的客户出样，并计划于 2025 年下半年量产。